iPhone 18 标准版首秀：苹果 A20 芯片焊点图曝光，推测 5 核 GPU
IT之家 10 月 1 日消息，IT之家社区用户 @白饭炒白米饭 昨日（9 月 30 日）发布了一条动态，展示了苹果 A20 标准版芯片的焊点图，这款芯片预计将用于 iPhone 18 标准版机型。
IT之家将帖子内容整理如下：
获得了 Apple A20 标准版芯片的焊点图后，可以对 A20 的芯片规模做出更进一步的推测。
1、制造工艺方面，由于与 A20 Pro 属于同一代，因此采用台积电 N2 工艺制造。
2、芯片面积方面，已知 A20 Pro 裸 Die 面积为 98.80mm²，A20 估计在 70～80mm² 之间，比 A19 更小。
3、内存封装方面，从焊点图判断，A20 继续沿用传统的 PoP 封装，并未采用 A20 Pro 的 WMCM 封装，散热压力依旧存在。
4、GPU 执行单元方面，对应背部电容位置 1，勉强能容纳 6 个核心，但考虑到 GPU 前端和缓存也需要空间，因此 GPU 数量大概率仍为 5 核。结合历代标准版芯片的频率限制，A20 的 GPU 频率预计也会受到限制。
5、CPU 执行单元方面，对应背部电容位置 2 和 3，分别是两个大核和四个小核。预计大核共享 8MB L2 缓存，小核共享 4MB L2 缓存。考虑到端侧 AI 的需求，SLC 可能从 A19 的 12MB 增加到 16MB。
6、神经网络引擎方面，对应背部电容位置 4 和 5，为双 16 核的神经网络引擎，配备专用 4MB 缓存。
7、内存控制器方面，对应背部电容位置 6 和 7。结合焊点图布局，Die 偏向左侧放置，右侧留出更多空间可能是为了布线。因此，6 号位置对应一组 LPDDR 控制器，7 号位置对应两组，每组 32bit，合计 96bit。
将这些推测对应到焊点图上后，如配图所示，A20 标准版芯片预计明年搭载于 iPhone 18 上，整体属于常规升级，性能释放不会像 A20 Pro 那样激进，进一步拉大了 A 芯片标准版与 Pro 版之间的性能差距。
基于上述推测信息，IT之家简要制作对比表格如下：
| 项目 | A20 Pro | A20（标准版） |
|---|---|---|
| 制造工艺 | 台积电 N2（2nm）GAA 纳米片 | 台积电 N2（2nm）GAA 纳米片 |
| 芯片裸 Die 面积 | 约 98.80 mm² | 约 70–80 mm²（推测） |
| 封装技术 | WMCM（晶圆级多芯片模块），内存与计算单元并排，利于散热 | 传统 PoP（Package-on-Package），内存叠在芯片上，存在散热压力挑战 |
| CPU 架构 | 6 核：2× 高性能核（S-core）+ 4× 能效核（E-core） | 6 核：2× 高性能核 + 4× 能效核（同代架构，频率 / 缓存可能略低） |
| CPU 缓存（L2） | 高性能核：约 16MB；能效核：约 8MB | 高性能核：约 8MB；能效核：约 4MB |
| 系统级缓存（SLC） | 约 36–48MB（大幅提升） | 约 12~16MB（A19 为 12MB，A20 可能小幅增加） |
| GPU 核心数 | 7 核 | 5 核（推测受布局与频率限制） |
| GPU 性能提升 | 相对 A19 Pro 提升约 40% | 有频率限制，整体弱于 Pro 升级幅度 |
| 神经网络引擎（NPU） | 32 核（双 16 核模块），FP16 约 44 TOPS、INT8 约 73 TOPS | 32 核（双 16 核），但专用缓存较小（约 4MB），整体算力略低 |
| 内存控制器 / 位宽 | 96-bit LPDDR5X，带宽约 115 GB/s（+50%） | 96-bit LPDDR5X（布局推测），但实际带宽与频率可能略低 |
| 散热设计 | 芯片直贴大面积 VC 均热板，封装利于导热；游戏 / 视频长时间负载更稳 | 依赖传统 PoP + 改进均热板，散热压力仍较大，持续高负载更易降频 |
| 典型搭载机型（预测） | iPhone 18 Pro / Pro Max / iPhone Duo 等高端机型 | iPhone 18 / iPhone 18e 等标准版机型 |
| 定位差异 | 旗舰级：更高 GPU / NPU / 缓存、更强持续性能释放，面向高负载游戏、AI、创作 | 主流级：常规升级，性能足够日常与中度使用，但与 Pro 差距进一步拉大 |