长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

10月30日，长鑫科技在第三季度业绩沟通会上披露，报告期间，企业第五代制程技术平台进入量产阶段；基于4F²垂直沟道DRAM架构的重要进展，第六代制程技术平台已完成工程样品验证；LPDDR6产品已投入量产。

公告指出，第五代制程技术平台是目前长鑫已投产的最前沿平台，现阶段主要推出采用245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品。未来，企业将依托该平台逐步更新现有产品系列，例如DDR5、LPDDR6等，持续增强产品性能，丰富产品阵容。同时，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键性突破后，第六代制程技术平台已顺利通过工程样品验证。

IT之家从公告了解到，第五代制程技术平台每片晶圆产出的裸片数量相比第四代平台增幅超过50%，在能效表现和成本控制方面均展现出明显优势，这主要归因于该平台在关键制程环节实现了多项行业领先的技术创新，进一步降低了能耗，提升了接口速率，为LPDDR6未来大规模生产和商业应用奠定了技术基础。企业目前基于第六代制程平台开发的4F²架构，通过更紧凑的设计显著缩小了存储单元面积，提升了单位面积的存储密度，为后续制程平台的升级奠定了稳固基础。

4F²架构是该公司面向下一代前沿技术的重要战略部署。在时间规划上，预计今年年底，企业将把采用4F²架构的首代DDR5 RDIMM产品提交样品，应用领域将优先聚焦服务器等高附加值、高密度需求的产品，随后逐步扩展到其他类别。规模量产将根据客户验证进展和市场实际需求稳步推进。

长鑫科技表示，4F²架构采用了逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠的方法，在产品定义方面具有更高的灵活性。此外，企业自主研发的VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用了垂直包围沟道结构，为后续节点的进一步微缩开辟了道路。